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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNH30N20LJ SOT-223-3L 30 7 ±20 20 30
HNM30N018B8G PDFN3.3x3.3-8L 30 105 ±20 1.8 2.4
HNM30N018B8G PDFN3.3x3.3-8L 30 105 ±20 1.8 2.4
HNB30N066A SOT-89 30 20 ±20 6.6 10
HNB30N066A SOT-89 30 20 ±20 6.6 10
HND40N18A TO-252-3L 40 20 ±20 18 20
HND40N18A TO-252-3L 40 20 ±20 18 20
HND60N012AX TO-252-3L 60 270 ±20 1.2 1.6+
HND60N012AX TO-252-3L 60 270 ±20 1.2 1.6+
HND60N012HAX TO-252-3L 60 260 ±20 1.2 -
HND60N012HAX TO-252-3L 60 260 ±20 1.2 -
HND40N14A TO-252-3L 40 40 ±20 13.5 16

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