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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HND40N14A TO-252-3L 40 40 ±20 13.5 16
HND18N018CY TO-252-3L 18 90 ±12 - 1.8
HND18N018CY TO-252-3L 18 90 ±12 - 1.8
HNM30N022AXD PDFN3.3x3.3-8L 30 100 ±20 2.2 3.8
HNM30N022AXD PDFN3.3x3.3-8L 30 100 ±20 2.2 3.8
HN070T65TH TO-220 650V 54A ±30V 61
HNS4N65F TO-220FP-3L 650 4 27 ±30 2.22 -
HN25G03FC TO-252-4L 30/-30 25/-24 18 ±20 15/25 20/37
HNS4614A SOP8 40/-40 8.9/-8.0 2 ±20 21 28
HNS060X06M TO-252-4L 60/-60 55 /-45 25 ±20 45 50
HNS4606C SOP8 30/-30 3/-3 2.1 ±20 25 35
HNS080X06M SOP8 60 /-60 5.8 /-6 2.1 ±20 85 100

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