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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN50H06NF PDFN5*6-8L 60V 50A 3.6 W ±20 V 11 mΩ 15 mΩ
HN3407AI SOT-23 -30 V -4.2 A 1.32 W ±20 V 50 mΩ 65 mΩ
HN3407MI SOT-23-3L -30V -4.2A 1.5 W ±20 V 40 mΩ 48 mΩ
HNS03N60 SOT363 60V 0.3A 0.3 W ±12 V 1.9 Ω 2.5 Ω
HNS50N65T TO-263-3L 650 V 21 A 151 W ±30 V 150 mΩ -
HNS50N65P TO-220-3L 650 V 21 A 151 W ±30 V 150 mΩ -
HNS50N65F TO-220F-3L 650 V 21 A 151 W ±30 V 150 mΩ -
HNS20N65F TO-220F 650 V 20 A 36 W ±30 V 150 mΩ -
HNS6012A TO-252-2L -60 V -12 A 60 W ±20 V 84 mΩ 100 mΩ
HNS025P06 TO-252 -60 V -50 A 60 W ±20 V 22 mΩ 27 mΩ
HN15P06D TO-252-3 -60 V -18.8 A 34.7 W ±20 V 53 mΩ 64 mΩ
HN8P06S SOP-8 -60 V -8.0 A 1.5 W ±20 V 55 mΩ 64 mΩ

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