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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNT100N07AG TO-220 100 92 ±20 7 -
HND30N058A TO-252-3L 30 50 ±20 5.8 10
HND30N058A TO-252-3L 30 50 ±20 5.8 10
HNS3N50G PDFN5x6-8L 500 3 ±30 3000 -
HNS3N50G PDFN5x6-8L 500 3 ±30 3000 -
HNS40N053A PDFN5x6-8L 40 70 ±20 5.3 7.8
HNS40N053A PDFN5x6-8L 40 70 ±20 5.3 7.8
HN120N110AXL SOT-23-3L 120 5 ±20 118 130
HN120N110AXL SOT-23-3L 120 5 ±20 118 130
HNA20N050A DFN2X2-6L 20 25 ±12 - 5
HNA20N050A DFN2X2-6L 20 25 ±12 - 5
HNA30N068YU DFN2X2-6L 30 11 ±20 6.8 7.8

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