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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNT100N16AX TO-220C 100 40 ±20 16 -
HNT100N16AX TO-220C 100 40 ±20 16 -
HN60P80AG SOT-23-3L -60 -3.1 ±20 80 101
HNT120N071AG TO-220C 120 90 ±20 7.1 -
HNT120N071AG TO-220C 120 90 ±20 7.1 -
HN30P50SY SOT-23 -30 -4 ±16 50 62
HNT150N046AG TO-220C 150 150 ±20 4.6 -
HNT150N046AG TO-220C 150 150 ±20 4.6 -
HN16P30ASY SOT-23 -16 -3.8 ±12 - 30
HNT150N115AG TO-220C 150 80 ±20 11.5 -
HNT150N115AG TO-220C 150 80 ±20 11.5 -
HN20P80 SOT-23 -20 -2.5 ±12 - 80

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