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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNT150N092BYG TO-220C 150 85 ±20 9.2 -
HNT150N092BYG TO-220C 150 85 ±20 9.2 -
HN20P44D SOT-23 -20 -3 ±12 - 44
HNT200N093AG TO-220C 200 100 ±20 9.3 -
HNT200N093AG TO-220C 200 100 ±20 9.3 -
HNU20P320KY SOT-723-3L -20 -0.5 ±12 - 320
HNT200N22AG TO-220C 200 60 ±20 22 -
HNT200N22AG TO-220C 200 60 ±20 22 -
HNV20P575KP SOT-523-3L -20 -0.75 ±8 - 300
HNT250N20AG TO-220C 250 60 ±20 23 -
HNT250N20AG TO-220C 250 60 ±20 23 -
HND40P26A TO-252-3L -40 -12 ±20 30 37

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