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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNT60N025AX TO-220C 170 60 ±20 2.5 3.2
HNT60N025AX TO-220C 170 60 ±20 2.5 3.2
HN20P78L SOT-23-3L -20 -3 ±12 - 78
HNT100N045AG TO-220C 100 124 ±20 4.5 5.7
HNT100N045AG TO-220C 100 124 ±20 4.5 5.7
HNS20PD75 SOT-23-6L -20 -2.5/-2.5 ±12 - 75
HNT100N064AG TO-220C 100 100 ±20 6.4 8.5
HNT100N064AG TO-220C 100 100 ±20 6.4 8.5
HNC30PD38CY SOP-8 -30 -5/-5 ±12 38 45
HNT100N11AG TO-220C 100 65 ±20 10.6 13.8
HNT100N11AG TO-220C 100 65 ±20 10.6 13.8
HNE20P239A DFN1006-3L -20 -0.6 ±12 - 239

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